시스템 메모리의 방정식은 복잡하다. 더 많은 메모리는 특히 가상화 환경에서 빛을 발한다. 그러나 더 많은 메모리는 더 많은 전력을 필요로 한다. 또 가용 슬롯의 제한으로 인해 메모리를 무작정 늘리기란 어렵다.
손쉬운 해법은 칩 메모리 밀도의 향상이다. 단 말처럼 쉬운 작업이 아니다. 네오 세미컨덕터라는 스타트업이 획기적인 3D 설계를 이용해 메모리 밀도를 최대 8배까지 높일 수 있다고 주장하고 나섰다.
3D 메모리 스태킹이 새로운 개념인 것은 아니다. 10년 전부터 낸드 플래시에서 용량을 늘리기 위해 사용되어 왔다. 메모리 제조사들은 트랜지스터를 나란히 배치하는 대신 위로 쌓아 올려 동일한 물리적 공간에서 용량을 늘리기 시작했다. 3D 적층이 시작된 지 10년 만에 낸드 플래시 DRAM은 170단 적층에 도달했으며, SSD는 칩 수를 늘리지 않고도 용량을 크게 늘릴 수 있었다.
하지만 이 접근법은 지금까지 디램에 적용되지 못했다. 인텔이 2020년에 프로토타입을 생산했지만, 그 이후로는 어떤 진전도 공개적으로 발표하지 않았다.
설명에 따르면 네오 세미컨덕터의 3D X-디램은 3D 낸드 메모리 셀과 기술적 구조가 유사하며, 3D 낸드와 유사한 제조 공정을 사용하여 제조할 수 있다. 이 점이 완전히 새로운 제조 공정을 필요로 하는 지금까지의 3D 디램 제조 시도와 차별화된다고 회사는 강조했다.
네오는 보도자료에서 “3D X-디램이 아니라면 업계는 수십 년을 기다려야 하고, 불가피한 제조 중단을 극복해야 할 것이다. 또 수율 및 비용 문제를 완화해야만 하다”라고 전했다.
그러나 디램에 3D 메모리 기술을 적용하려는 업체는 다양하며, 아직 업계가 어떤 방향으로 나아갈지 예상하기 어렵다. 메모리 전문가인 짐 핸디 오브젝티브 애널리시스 수석 애널리스트는 일단 방향이 정해지더라도 전환에 시간이 걸릴 것이라고 말했다.
단 네오의 접근 방식은 낸드 메모리 제조에서 확보한 노하우를 활용하기에 전환이 3D 낸드 전환보다 조금 더 순조로울 수 있다고 그는 덧붙였다.
핸디는 “그러나 프로토타입 칩의 증거를 볼 때까지 회사에 대한 판단을 유보하고자 한다. 네오가 아직 시제품을 생산하지 않았기 때문에 약속을 지킬 수 있을지 말하기는 어렵다. 그럼에도 불구하고 3D 디램의 제조가 가능하다고 믿을 만하다”라고 말했다. dl-ciokorea@foundryco.com
